Современные технологии в микроэлектронике

КУРС : "Современные технологии в микроэлектронике"

 

Информация о подразделении, отвечающего за СЭУМК.

Подразделение разработчик СЭУМК Разработчики СЭУМК

Научно-образовательный центр Б.П. Вейнберга

Инженерная школа ядерных технологий

 Юрьева Алёна Викторовна

Список дисциплин использующих СЭУМК "Современные технологии в микроэлектронике" в учебном процессе.

  Современные технологии в микроэлектронике

Обеспечивающая кафедра

Код специальности, специальность

№, Дисциплина

Уровень

Курс

Форма обучения

Количество часов, (Аудиторная, Самостоятельная, Кредиты)

Форма контроля
НОЦ Б.П. Вейнберга ИЯТШ 16.04.01Техническая физика магистр  2М очная  216 часов (ауд. - 64,  кредиты - 6)  экзамен 
       
               
               
               
ЦЕЛИ КУРСА

 

  • Познакомить студентов  с физическими основами микроэлектроники.
  • Сформировать базовые знания и комплекс умений, необходимых  для решения задач в области проектирования и изготовления интегральных микросхем.
МЕЖПРЕДМЕТНЫЕ СВЯЗИ

 

Пререквизиты: курс предназначен для студентов, прослушавших курсы  математики, физики и химии. Кроме того, предполагается, что они уже знакомы с элементами физики твёрдого тела, физикой поверхности и тонких плёнок, материаловедением, вакуумной техникой, общей электротехникой, взаимодействием ионизирующих излучений  и плазмы с веществом.

Кореквизиты: параллельно с данной дисциплиной могут изучаться курсы: получение и применение импульсных пучков заряженных частиц, проектирование плазменных установок и технологий. 

 
СТРУКТУРА ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ЧАСТИ КУРСА

Модуль 1. «Основные положения микроэлектроники». Интегральная микросхема, классификация интегральных микросхем

Модуль 2. «Пленочные интегральные микросхемы». Элементы тонкопленочных интегральных микросхем (ТП ИМС). Типовые технологические процессы изготовления ТП ИМС (нанесение тонкопленочных покрытий, литография, травление). Толстопленочные ИМС.

Модуль 3. «Полупроводниковые интегральные микросхемы». Общие положения зонной теории твердых тел. Элементы полупроводниковых интегральных микросхем (ПП ИМС). Типовые технологические процессы изготовления ПП ИМС.

 
СТРУКТУРА ПРАКТИЧЕСКОЙ ЧАСТИ КУРСА

Модуль 2. «Пленочные интегральные микросхемы».

Практические занятия:

  • расчет тонкопленочных резисторов
  • расчет тонкопленочных конденсаторов
  • расчет тонкопленочных индуктивностей

Модуль 3. «Полупроводниковые интегральные микросхемы».

Практические занятия:

  • разработка технологического маршрута изготовления совмещенной ИМС
  • расчет профиля легированной примеси в полупроводнике
  • расчет полупроводникового резистора
КЛЮЧЕВЫЕ СЛОВА

пленочная микросхема, полупроводниковая микросхема, литография, травление, нанесение тонкопленочных покрытий, имплантация
ИНФОРМАЦИЯ ДЛЯ СВЯЗИ С ПРЕПОДАВАТЕЛЯМИ

Юрьева Алёна Викторовна, к.т.н., доцент НОЦ Б.П. Вейнберга ИЯТШ

11 корпус 222 ауд. тел. 606-339

e-mail: alencha@tpu.ru

Copyright ©2014. Tomsk Polytechnic University, 
All rights reserved.
Уровень квалификации: Начальный